国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种可移动的抽气结构、薄膜沉积设备”的专利，公开号CN121472809A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请涉及一种可移动的抽气结构、薄膜沉积设备，该抽气结构包括：侧抽气通道，设置在反应腔室的侧部；设置于所述侧抽气通道内的侧抽气环，所述侧抽气环安装在反应腔室的喷淋头下方；底抽气环，安装在底抽气通道的顶部，所述底抽气通道设置在所述反应腔室的底部；抑流环，可移动设置在所述底抽气环与所述反应腔室的底部之间；所述抑流环用于通过上下移动控制所述侧抽气通道与所述底抽气通道的相对流量比例，实现动态气流优化。从而可以更精细地控制气流分布，确保腔体内各区域的气流均匀，减少死区和涡流，提高沉积的一致性和质量；以及能更有效地将反应副产物和未反应的气体排出，降低它们在腔体内的浓度，减少污染和副反应的发生。

天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息469条，此外企业还拥有行政许可16个。

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作者：情报员