国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司申请一项名为“芯片及其制备方法、电子设备”的专利,公开号CN121510667A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,本申请提供一种芯片及其制备方法、电子设备,涉及半导体技术领域,从而避免第一垂直环栅晶体管受到金属边界效应的影响。该芯片包括衬底,设置在衬底上的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管分别包括:设置于衬底上的沟道;分设于沟道两端的第一极和第二极,第一极环绕沟道的侧壁,第二极位于沟道背离衬底的一侧;间隔层,间隔层覆盖第二极背离衬底一侧的表面以及第二极的侧壁;栅结构,栅结构包括栅介质;第一晶体管中,栅结构还包括设置于所述栅介质背离沟道一侧的第一栅极,栅结构从间隔层的侧壁、沟道的侧壁延伸至第一极;第二晶体管中,栅介质从间隔层的侧壁、沟道的侧壁延伸至第一极;其中,栅结构在沟道的侧壁处形成开口背离沟道的凹槽。
天眼查资料显示,华为技术有限公司,成立于1987年,位于深圳市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析,华为技术有限公司共对外投资了51家企业,参与招投标项目5000次,财产线索方面有商标信息5000条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可1709个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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