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近日,航空工业合肥航太电物理技术有限公司(简称“合肥航太” )研发团队,成功突破了现有体系技术瓶颈,打造出新型3D集成雷电防护系列芯片,该系列芯片采用3D先进封装,属于多芯堆叠的异构集成(SiP)封装,相比传统封装和分立器件,在性能、密度、可靠性、成本和应用范围上都具有显著优势,具体特点如下:

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  • 1. 集成度高、体积小、重量轻;①集成度高:单颗芯片就可实现之前多颗分立器件(可实现≥6颗)的功能;②体积小:长宽高仅为传统同等功能防护器件的1/3以下 ;③重量轻:单颗芯片仅为 0.25g。

  • 2. 单颗芯片可实现差模、共模雷电防护,国内、国际领先;

  • 3. 芯片通流、耐压、散热性能强、响应速度快,稳定性高;

  • 4. 钳位电压稳定,寄生电容低,更好的减小尖峰电压,可为高速信号提供更加良好的雷电防护效果;

  • 5. 芯片底部接地,左右分别为输入及输出引脚,布局规整,极大的减少 PCB 板上的布线面积及难度;

  • 6. 灵活性高,可按照客户需求定制多路防护芯片。该系列具有多型号可应对多种情况需求。

1、RS429雷电防护芯片

(HT-D2-429-A4-01)

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具有优异的共、差模雷电防护性能,满足RTCA DO-160G《机载设备环境条件和试验程序》二十二章 雷电感应瞬态敏感度A1~A4等级。

DFN8755贴片式封装,体积小,性能可靠,PCB板安装。

最大额定值

额定电压:差分±10VDC

最大峰值脉冲功率(10/1000us波形):3000W

最大峰值脉冲电流(10/1000us波形):

共模:176.5A;

差模:123A。

储存温度:-55℃~+150℃

工作温度:-55℃~+125℃

电性能参数

钳位电压

RTCADO-160G波4等4VOC=750V,

ISC=150A,6.4/69us

共模典型值:13.6V,最大值:17V

差模典型值:22.4V,最大值:24V

RTCA DO-160G 波3等级4 VOC=1500V,ISC=60A

共模典型值:58.4V

差模典型值:57.9V

电容

VR=1V,f=1MHz,I/O to I/O :7.4nF

VR=1V,f=1MHz,I/O to GND :9.5nF

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外形尺寸

2、RS485雷电防护芯片

(HT-D2-TX10M-A4-01)

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具有优异的共模,差模雷电防护性能,满足RTCA DO-160G 《机载设备环境条件和试验程序》二十二章雷电感应瞬态敏感度A1~A4等级。

DFN8772贴片式封装,体积小,性能可靠,PCB板安装。

最大额定值

额定电压:差分±6VDC

最大峰值脉冲功率(10/1000us波形):3000W

最大峰值脉冲电流(10/1000us波形)

共模:176.5A;

差模:232.6A。

储存温度:-55℃~+150℃

工作温度:-55℃~+125℃

电性能参数

钳位电压

RTCA DO-160G 波4等级4 VOC=750V,

ISC=150A,6.4/69us

共模典型值:14.4V,最大值:17V

差模典型值:12.0V,最大值:12.9V

RTCA DO-160G 波3等级4 VOC=1500V ,ISC=60A

共模典型值:152.8V

差模典型值:144.8V

结电容

VR=1V ,f=1MHz,I/O to I/O:7.4pF

VR=1V ,f=1MHz,I/O to GND:24.3pF

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外形尺寸

3、RS422雷电防护芯片(HT-D4-422-A4-01)

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具有优异的共模,差模雷电防护性能,满足RTCA DO160G 《机载设备环境条件和试验程序》二十二章 雷电感 应瞬态敏感度A1~A4等级;

DFN8775贴片式封装,体积小,性能可靠,PCB板安装。

最大额定值

额定电压:差分±6VDC

最大峰值脉冲功率(10/1000us波形):3000W

最大峰值脉冲电流(10/1000us波形):

共模:176.5A;

差模:232.6A。

储存温度:-55℃~+150℃

工作温度:-55℃~+125℃

电性能参数

钳位电压

RTCA DO-160G 波4等级4 VOC=750V ,

ISC=150A, 6.4/69us

共模典型值:13.2V,最大值:17V

差模典型值:11.2V,最大值:12.9V

RTCA DO-160G 波3等级4 VOC=1500V ,ISC=60A

共模典型值:124.3V

差模典型值:120.1V

结电容

VR=1V ,f=1MHz,I/O to I/O :10.5pF

VR=1V ,f=1MHz,I/O to GND :29.0pF

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外形尺寸

4、新型多芯堆叠异构集成(SiP)

封装型雷电防护系列芯片全系列

现有新型3D集成雷电防护芯片如下:

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