国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“一种化学气相沉积方法、装置、电子设备及沉积装置”的专利，公开号CN121496354A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开了一种化学气相沉积方法、装置、电子设备及沉积装置，其中化学气相沉积方法通过获取待沉积产品的标识信息，提取其多晶硅密度参数，根据多晶硅密度参数确定薄膜理论厚度，并结合器件设计所需的薄膜目标厚度动态调整化学气相沉积的第一工艺时长。该方法将原本固定不变的沉积时间转变为根据局部图形疏密程度自适应调节的工艺参数，从而在图形稀疏区适当缩短沉积时间以避免过厚，在图形密集区适度延长沉积时间以补偿膜厚不足，有效抵消了图案负载效应引起的厚度非均匀性。

天眼查资料显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯卓湖光半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可16个。

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作者：情报员