国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种掩膜结构及其制备方法、半导体设备”的专利，公开号CN121496321A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明涉及一种掩膜结构及其制备方法和半导体设备。掩膜结构的制备方法包括；提供衬底；在第一等离子体氛围下，于衬底上形成具有第一硬度的第一掩膜材料层，第一等离子体氛围包括第一高频射频频率和第一低频射频频率；在第二等离子体氛围下，于第一掩膜材料层上形成具有第二硬度的第二掩膜材料层，第二等离子体氛围包括第二高频射频频率和第二低频射频频率；其中，第一硬度小于所述第二硬度，第一低频射频频率和第二低频射频频率均小于或等于5MHz，且第一低频射频频率大于或等于第二低频射频频率。上述掩膜结构的制备方法，通过形成“下软上硬”的结构，可利用掩膜材料层在硬度上的差异，降低开孔轮廓变形的概率，保持掩膜结构的高蚀刻选择比。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62614.5307万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目78次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息1641条，此外企业还拥有行政许可77个。

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作者：情报员