国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件以及驱动半导体器件的方法”的专利，公开号CN121510589A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本公开涉及包括半导体器件以及驱动半导体器件的方法。根据本公开实施例的一种半导体器件包括铁电存储器结构、控制晶体管和将控制晶体管与铁电存储器结构电连接的控制连接结构。铁电存储器结构包括开关栅极介电层、开关栅电极层以及第一存储电极层、铁电存储层和第二存储电极层，第一存储电极层连接到开关栅电极层。控制晶体管结构包括控制源电极和控制漏电极、控制栅极介电层、以及控制栅电极层。控制连接结构在衬底之上将控制漏电极和开关栅电极层彼此电连接。

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作者：情报员