国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司;深圳市重投天科半导体有限公司申请一项名为“一种双层多孔碳包覆碳化硅及其制备方法与碳化硅晶体的生长方法”的专利，公开号CN121496576A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，尤其涉及一种双层多孔碳包覆碳化硅及其制备方法与碳化硅晶体的生长方法。与现有技术相比，本发明通过双层多孔碳包覆结构对碳化硅原料的升华过程形成精准调控，碳层在高温下的逐步分解与碳化硅核的升华速率形成动态匹配，在生长过程中，碳层的缓释作用持续补充碳源，使气相组分始终维持在理想范围；并且这种动态平衡机制不仅让晶体生长界面保持稳定的台阶流模式，减少因组分失衡导致的螺旋位错和层错，还能降低高温下坩埚内壁的硅蒸汽侵蚀，避免碳颗粒二次沉积形成的包裹缺陷；此外，即使原料装填存在局部密度差异，碳层的均匀包覆也能弱化局部过热导致的异常升华，防止生长初期出现的多晶核扩散至单晶区域。

天眼查资料显示，北京天科合达半导体股份有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50600万人民币。通过天眼查大数据分析，北京天科合达半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目313次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息241条，此外企业还拥有行政许可149个。

深圳市重投天科半导体有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本220000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市重投天科半导体有限公司参与招投标项目60次，专利信息49条，此外企业还拥有行政许可118个。

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作者：情报员