国家知识产权局信息显示,中核光电科技(上海)有限公司申请一项名为“基于ALD制备钙钛矿太阳能电池吸光层的方法”的专利,公开号CN121496369A,申请日期为2026年1月。
专利摘要显示,本发明是关于一种基于ALD制备钙钛矿太阳能电池吸光层的方法。其包括,通过在基板上循环交替沉积含金属卤化物源层和含有机铵源层,制得钙钛矿前驱体薄膜层,后处理,得到钙钛矿吸光层;所述循环交替沉积步骤包括:1)在所述基板上沉积所述含金属卤化物源层,然后在所述含金属卤化物源层上沉积所述含有机铵源层;2)在所述含有机铵源层沉积所述含金属卤化物源层,然后在所述含金属卤化物源层上沉积所述含有机铵源层;3)重复执行步骤2),待所述钙钛矿前驱体薄膜层达到预设厚度后,停止。所要解决的技术问题是如何提供一种制备钙钛矿太阳能电池吸光层的方法,具有较高的材料利用率,制得的钙钛矿薄膜的厚度均匀,无针孔。
天眼查资料显示,中核光电科技(上海)有限公司,成立于2023年,位于上海市,是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析,中核光电科技(上海)有限公司参与招投标项目169次,专利信息38条,此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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