随着新一代Vera Rubin平台进入量产阶段，SK海力士和三星都将向英伟达供应HBM4。三星在昨天就已官宣量产HBM4，采用了4nm基础裸片（Base Die）搭配1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，并已向客户发货商用产品，领先于SK海力士和美光。

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据TrendForce报道，性能是HBM4至关重要的指标，不过产能和良品率决定了下一代AI加速器是否能够按时提供稳定供应，而今年整体HBM4供应动态大概率主要取决于英伟达的采购策略，也就是订单的分配情况。按照最近一段时间的说法，SK海力士将占据Vera Rubin平台大部分HBM4订单，份额可能在60%至70%，超过了之前50%的预期。

虽然SK海力士延续了HBM3E时代的强势，拿到了过半的HBM4订单，但是早期的可靠性评估显示，SK海力士提供的HBM4想达到11Gbps级别速率有些困难，而SK海力士也一直在做改进。三星在英伟达的HBM4资格测试中处于领先位置，有着不错的性能表现，可是1cnm DRAM芯片的良品率约为60%，短时间内也无法大幅提高产能，即便三星加速扩大生产线，也不足以满足英伟达整体HBM4的需求。

市场已经更多地将关注点放到了英伟达的整体采购策略上，如果坚持11.7Gbps的规格，可能很难采购足够数量的HBM4用于Vera Rubin平台。有业内人士透露，英伟达可能放宽HBM4规格要求，除了11.7Gbps，还将采购速率降一档的10.6Gbps产品，以降低存储器制造商的生产难度，从而确保HBM4的稳定供应。