国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种静电吸附盘”的专利，公开号CN121496372A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，发明提供了一种静电吸附盘，包括：本体，包括一体成型的吸附区和法兰区，其中，所述吸附区中设有至少一个电极，所述法兰区环绕于所述吸附区的外围，其外表面为绝缘材质；以及聚焦环，安装于所述法兰区之上，并环绕所述吸附区，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成，其朝向所述法兰区的表面设有至少一圈等高的环形凸起，以接触所述法兰区，并密封所述环形凸起以内的区域。

天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息479条，此外企业还拥有行政许可16个。

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作者：情报员