国家知识产权局信息显示，克罗米斯有限公司申请一项名为“用于在工程化衬底上制造的垂直场效应晶体管的方法和系统”的专利，公开号CN121511663A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种制造半导体器件的方法，包括：提供工程化衬底。所述方法还包括：形成联接至工程化衬底的外延氮化镓（GaN）层；在外延GaN层中形成多个沟道；以及在沟道中形成多个栅极。所述方法还包括：形成联接至外延氮化镓层的多个源极；在栅极和源极上形成互连结构；在互连结构上形成金属键合层；将导电载体键合至金属键合层；移除工程化衬底；在外延氮化镓层的背面上形成漏极层；蚀刻外延氮化镓层和互连结构的至少一部分以形成至少一个栅极焊盘凹槽并暴露嵌入式金属迹线、以及在栅极焊盘凹槽中形成至少一个栅电极。

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作者：情报员