国家知识产权局信息显示，鸿扬半导体股份有限公司申请一项名为“半导体晶圆的制造方法”的专利，公开号CN121510869A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，一种半导体晶圆的制造方法包括提供基材晶圆。基材晶圆具有不为零的弯曲度并具有第一部位。第一部位具有相对的第一面与第二面。第一面为内凹的。制造方法包括对基材晶圆执行第一离子注入工艺，使得第一部位的第一面具有第一注入区域，且基材晶圆的弯曲度相较于执行第一离子注入工艺前更接近于零。制造方法包括在执行第一离子注入工艺后，在基材晶圆上沉积磊晶层。可以减少基材晶圆在后续工艺中开裂或进一步弯曲的风险。

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作者：情报员