国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121510650A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括以下步骤：在衬底上形成第一氧化层，并在所述第一氧化层表面注入氮元素；在所述第一氧化层上形成第二氧化层，所述第一氧化层和第二氧化层构成栅介质层。本发明通过在所述第一氧化层表面注入氮元素可以在第一氧化层表面引入氮，以控制氮分布和界面质量，从而提升NBTI性能；通过第二氧化层作为隔离保护层保护被氮化处理的第一氧化层，以避免氮流失，并维持栅介质层的介电常数和EOT，防止湿法刻蚀工艺中SPM对氮氧化层的侵蚀，从而极大减少IO OX流失。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1632条，此外企业还拥有行政许可22个。

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作者：情报员