罗姆申请半导体装置专利,提高电流路径的磁导率或电阻率
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国家知识产权局信息显示,罗姆股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利,公开号CN121532044A,申请日期为2021年3月。
专利摘要显示,本发明提供一种半导体装置,其具备:至少一个半导体元件,其具有开关功能;导通部件,其成为由所述半导体元件开关的电流路径,且由第一原材料构成;以及包覆层,其覆盖所述导通部件的至少一部分,且由第二原材料构成。所述第二原材料满足以下三个条件中的至少一个条件,即:(a)磁导率比所述第一原材料高;(b)电阻率比所述第一原材料高;以及(c)介电损耗角正切大于0。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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