欣兴电子申请金属化玻璃基板及其制造方法专利,异质接着层的微观结构中包括硅-氧-钛键结
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国家知识产权局信息显示,欣兴电子股份有限公司申请一项名为“金属化玻璃基板及其制造方法”的专利,公开号CN121517124A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,本申请提供一种金属化玻璃基板及其制造方法。金属化玻璃基板包括一玻璃基板、一异质接着层及一金属层。异质接着层设置于玻璃基板上,异质接着层包括一多孔结构及一金属触媒。多孔结构形成于玻璃基板上,多孔结构的厚度为210纳米至350纳米。金属触媒附着于多孔结构上。异质接着层的微观结构中包括硅-氧-钛键结。金属层设置于异质接着层上。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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