国家知识产权局信息显示，中环领先半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种外延片及其制备方法”的专利，公开号CN121519174A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供一种外延片及其制备方法，外延片的制备方法包括如下步骤：提供衬底，将衬底置于外延炉，通入氢气，对衬底进行烘焙；进行第一次降温，通入硅源和掺杂源，在衬底表面沉积覆盖层；进行第二次降温，在覆盖层表面生长外延层。本申请提供的外延片的制备方法，通过增加沉积覆盖层的工艺步骤，结合前期的烘焙工序，能够有效抑制外延层的自掺杂效应；同时，控制烘焙工序和沉积工序之间的温度差，也能够进一步抑制自掺杂效应，从而使得外延片的SRP过渡区保持在理想宽度，改善器件性能。

天眼查资料显示，中环领先半导体科技股份有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，中环领先半导体科技股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目348次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息1182条，此外企业还拥有行政许可236个。

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作者：情报员