余补充道：“即使在纳米级别这样微小的尺度上，你仍然有成千上万或数百万个原子。这意味着你有更大的空间来增强其特性。”

更多信息： Christopher R. Allemang 等，具有 SiGeSn 障碍的 GeSn 量子阱中的高迁移率和静电学，先进电子材料（2025）。 DOI: 10.1002/aelm.202500460. advanced.onlinelibrary.wiley.c … .1002/aelm.202500460

由阿肯色大学提供

本故事最初发表于 Tech Xplore。