国家知识产权局信息显示，亿威盛半导体科技（上海）有限公司申请一项名为“一种基于背面微槽与梯度退火的碳化硅衬底处理方法及碳化硅衬底”的专利，公开号CN121531945A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种基于背面微槽与梯度退火的碳化硅衬底处理方法及碳化硅衬底，通过非均匀分布的微槽结构、在微槽结构内进行填充或者进行注入形成改性层，以及多段非线性梯度退火工艺，深度释放有害应力，并在微槽内主动诱导补偿应力，产生与翘曲应力相反的补偿应力，进行应力分布重塑，使碳化硅衬底的翘曲度稳定控制在50μm以下，满足高温外延、光刻等后续工艺的要求；通过在碳化硅衬底的背面设置微槽结构，引导应力沿预定路径释放，避免局部应力集中，有效抑制切割、研磨、抛光引入的残余应力梯度；采用渐变环间距的同心环形槽或非线性螺距的螺旋渐开线槽，实现区域选择性应力释放和补偿。

天眼查资料显示，亿威盛半导体科技（上海）有限公司，成立于2024年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本6650万人民币。通过天眼查大数据分析，亿威盛半导体科技（上海）有限公司专利信息14条。

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作者：情报员