国家知识产权局信息显示，南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司申请一项名为“一种具有分区掺杂浮岛的双源极横向碳化硅功率器件”的专利，公开号CN121531765A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具有分区掺杂浮岛的双源极横向碳化硅功率器件，包括碳化硅N型掺杂半导体外延层、P型掺杂半导体阱、两个源极金属和若干个P型掺杂半导体浮岛；若干P型掺杂半导体浮岛等距并列布设在P型掺杂半导体阱一侧的碳化硅N型掺杂半导体外延层顶部；每个P型掺杂半导体浮岛均包括中部浮岛区域和布设在中部浮岛区域两侧的侧边浮岛区域；其中，每个侧边浮岛区域的P型掺杂浓度均大于中部浮岛区域的掺杂浓度；其中一个源极金属底面紧贴第一浮岛上表面布设。本发明通过增加与第一浮岛电位相连的源极金属，以及增加两个侧边浮岛区域的离子注入剂量，能够实现低动态电阻退化，并改善器件击穿电压和导通电阻之间的矛盾关系。

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作者：情报员