国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“包括暴露的导电层的装置以及制造该装置的方法”的专利，公开号CN121531995A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本公开涉及包括暴露的导电层的装置以及制造该装置的方法。一种电子系统包括第一装置和接合到第一装置的第二装置。第一装置包括：具有开口的半导体基板；具有金属层和导电通孔的堆叠；以及包括铝的导电层，所述导电层具有与堆叠接触的第一面和与第一面相对的、通过开口部分地暴露的第二面。堆叠的金属层和导电通孔由与铝不同的导电材料制成。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员