国家知识产权局信息显示，珠海天成先进半导体科技有限公司申请一项名为“一种变式mega Cu柱3D集成结构及制备方法”的专利，公开号CN121548111A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种变式mega Cu柱3D集成结构及制备方法，包括：在第一基体的背面形成第一互连Pad结构并加工凹槽，在第二基体的背面制备出铜通孔，形成第二互连Pad结构；在第三基体正面Si刻蚀，实现第一微凸点金属化，将第二互连Pad结构与第一微凸点金属化冶金结合形成第四基体，将第一互连Pad结构与第四基体键合形成第五基体，形成垂直互连结构；在垂直互连结构正面Si刻蚀，实现第一微凸点金属化，将芯片和垂直互连结构冶金结合，表面填充固化后进行塑封，并实现第三微凸点金属化及植球，得到变式mega Cu柱3D集成结构。本发明大大提高了集成度，显著提升了热循环过程中的机械稳定性与长期可靠性。

天眼查资料显示，珠海天成先进半导体科技有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本95000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海天成先进半导体科技有限公司参与招投标项目515次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息79条，此外企业还拥有行政许可13个。

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作者：情报员