国家知识产权局信息显示，北京昕感科技（集团）有限责任公司申请一项名为“一种沟槽栅型碳化硅MOSFET栅级氧化层的制备方法”的专利，公开号CN121548087A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及一种沟槽栅型碳化硅MOSFET栅级氧化层的制备方法，包括：在碳化硅衬底上刻蚀形成栅沟槽后上载至高温炉管中；在第一温度和氧化性气体的氛围中，对形成栅沟槽的碳化硅衬底进行第一次氧化层生长；对碳化硅衬底进行第二次氧化层沉积，在第二温度下进行第一次高温热处理；将栅沟槽底部的氧化层上涂覆光刻胶；将栅沟槽侧壁的氧化层刻蚀掉后，将栅沟槽底部的光刻胶去除；对碳化硅衬底进行第三次氧化层沉积，并在第三温度和含氮气体氛围下，进行第二次高温热处理；在第四温度和惰性气体氛围下，对碳化硅衬底进行第三次高温热处理，完成栅极氧化层制备。本方法引入致密化和退火工艺，使界面质量得到提示，进一步提升器件的性能和可靠性。

天眼查资料显示，北京昕感科技（集团）有限责任公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本6331.9684万人民币。通过天眼查大数据分析，北京昕感科技（集团）有限责任公司共对外投资了7家企业，财产线索方面有商标信息4条，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可2个。

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作者：情报员