国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121548089A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。制备方法包括：于基底上形成伪栅极、刻蚀阻挡层和层间介质层，伪栅极的数量为多个且间隔设置，刻蚀阻挡层覆盖伪栅极的侧壁和顶表面，层间介质层覆盖刻蚀阻挡层，并填充相邻两伪栅极之间的沟槽；研磨层间介质层和刻蚀阻挡层，直至露出伪栅极的顶表面，及沟槽内的层间介质层中形成凹陷；将伪栅极替换成栅极材料，栅极材料填充凹陷；采用化学干法刻蚀工艺刻蚀栅极材料，直至露出凹陷的内壁；对栅极材料和层间介质层进行平坦处理，形成栅极，栅极远离基底的顶表面和层间介质层远离基底的顶表面齐平。降低半导体结构出现短路的风险，提高半导体结构的良率和性能。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1632条，此外企业还拥有行政许可22个。

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作者：情报员