国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器”的专利，公开号CN121548127A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法和图像传感器，该半导体结构包括：基底；形成于基底表面的隔离结构；隔离结构包括层间隔离结构和区间隔离结构；设置于基底上的光电功能层；光电功能层用于基于光电效应实现光电信号转换；光电功能层包括多个沿基底的法线方向间隔堆叠设置的光电感应层；光电感应层的掺杂类型与隔离结构的掺杂类型相反；其中，区间隔离结构沿基底的法线方向贯穿光电功能层，将光电功能层分隔为多个光电感应区；层间隔离结构设置于光电功能层与基底之间以及相邻的光电感应层之间。通过本申请实施例，利用层间隔离结构和区间隔离结构减少了光生载流子在各光电感应区的之间的扩散，提升了图像传感器的成像质量。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1632条，此外企业还拥有行政许可22个。

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作者：情报员