国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“集成组合件和形成集成组合件的方法”的专利，公开号CN121548086A，申请日期为2021年4月。

专利摘要显示，本公开涉及集成组合件和用于形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有包括半导体材料的有源区的集成晶体管。所述有源区包含第一源极/漏极区、第二源极/漏极区以及在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的沟道区。导电门控结构可操作地接近所述沟道区且包括钼。所述集成晶体管可并入到例如DRAM、FeFET存储器等集成存储器中。一些实施例包含形成例如集成晶体管、集成存储器等集成组合件和装置的方法。

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作者：情报员