国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体互连结构的制造方法”的专利，公开号CN121548292A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体互连结构的制造方法。该方法包括：提供衬底并在其上形成介电层；在介电层上形成硬掩模层并对其进行图形化，以形成限定金属布线图形的掩模图形；在掩模图形的表面沉积一层抗刻蚀层，该抗刻蚀层的抗刻蚀能力大于硬掩模层的抗刻蚀能力；随后以带有抗刻蚀层的掩模图形为掩模，在介电层中形成沟槽和通孔开口；最后填充导电材料。本发明通过引入高抗刻蚀能力的保护层，有效防止了在一体化(AIO)工艺的通孔刻蚀过程中硬掩模被过度消耗，从而维持了金属布线的隔离间距，避免了短路缺陷，显著拓宽了工艺窗口，提升了产品良率与可靠性。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2095次，专利信息2708条，此外企业还拥有行政许可397个。

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作者：情报员