最具影响力！电子科大受邀发文，新进展登上Nature子刊！|材料|电子科大|电子科技大学

近日，电子科技大学基础与前沿研究院/电子薄膜与集成器件全国重点实验室刘奥团队受邀在Nature综述系列期刊Nature Reviews Electrical Engineering发表前沿评论文章。电子科技大学为论文第一完成单位，基础与前沿研究院王名扬博士后为论文第一作者。

Nature Reviews系列期刊是Nature旗下最具影响力的综述期刊平台，其发表的综述文章通常代表着该领域已形成系统性、引领性的研究成果，受到全球学术界的高度关注。

文章梳理了团队近年来在“p型氧化物电子学”领域的研究进展，阐述了半金属-氧化物新材料体系的物理内涵与器件发展思路，并对该领域未来研究方向进行了展望。

半金属-氧化物材料体系的应用方向

p型氧化物半导体是构建下一代互补金属氧化物半导体（CMOS）电路、三维集成及柔性电子系统的关键材料，但其发展长期受限于空穴迁移率低、掺杂调控困难等技术瓶颈。刘奥团队自2024年以来，创新性地提出并发展了基于碲（Te）的“半金属-氧化物”材料设计理念。这一策略有效突破了传统氧化物在空穴输运与掺杂稳定性方面的限制，在保持低温工艺和大面积均匀性优势的同时，实现了可控的载流子调节，并成功演示了大规模柔性全氧化物薄膜集成电路，为高性能p型氧化物电子器件奠定了全新的材料基础。

刘奥教授

刘奥教授，国家级青年人才，其研究聚焦于新型半导体信息材料的研发及与产业制程兼容的电子薄膜和功能器件集成。他凭借在“开发高性能非晶p型半导体”方面的突破性贡献，成功入选“2024中国十大新锐科技人物”，其相关成果也荣获“2024中国芯片科学十大进展”。

刘奥团队此次在Nature Reviews Electrical Engineering上发表文章，标志着电子科技大学在新型电子薄膜材料与器件领域的持续创新能力和国际学术影响力获得了权威认可。该工作得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划等项目的资助。

事实上，此次发表是该团队在顶尖期刊上持续产出的最新例证。仅在过去一年多时间里，刘奥团队已在Nature主刊发表原创研究论文，首创高迁移率稳定的非晶p型半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈；并在新型半导体薄膜电子器件研究方向取得重要进展。

这一系列重量级成果的产出，离不开电子科技大学基础与前沿研究院的硬核助力。基础院成立于2014年，是学校为增强原始创新能力而特别筹建的科研“基地”和“示范”特区。

研究院实施“无边界学院”发展战略，并汇聚了来自剑桥、牛津、斯坦福、麻省理工等世界高校的50余位高层次人才，围绕非经典信息科学、跨尺度物质科学和泛智能生命科学三大方向开展前沿交叉研究。刘奥教授所在的集成光子研究中心，正是基础院下设的核心研究单元之一，由徐红星院士指导，中心成员由国家级领军人才、国家级青年人才、校百人、专职科研等构成。研究中心聚焦光物作用、纳米光学、光子计算等重大核心科学问题，开展片上光源、光电探测、光子芯片的研究，致力于突破我国光电子信息领域重大技术瓶颈。