国家知识产权局信息显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“硅片边缘印记缺陷的参数调整优化方法”的专利，公开号CN121562411A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，公开了硅片边缘印记缺陷的参数调整优化方法。该方法包括：定义关键工艺参数及其范围；设计并执行正交试验；测量每组试验下硅片边缘过抛宽度作为缺陷量化指标；基于试验数据构建多变量非线性响应曲面模型；建立以最小化缺陷指标为目标、兼顾其他质量约束的多目标优化函数；采用遗传算法求解全局最优参数组合，并将其应用于实际生产。本发明通过数据驱动与闭环迭代机制，显著提升硅片边缘质量与工艺稳定性。

天眼查资料显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息277条，此外企业还拥有行政许可77个。

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作者：情报员