国家知识产权局信息显示，四川中星电子有限责任公司申请一项名为“一种基于等离子体预处理的高可靠性薄膜电容器喷金方法”的专利，公开号CN121555935A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于等离子体预处理的高可靠性薄膜电容器喷金方法，涉及电容器制造技术领域，通过将薄膜电容器芯子置于处理腔室，并制造真空环境，随后依次进行以下步骤：S1、采用激光对芯子端面进行扫描，形成微凹结构；S2、分阶段等离子体活化处理，包括：S2.1、通入氩气与氧气，进行表面清洁与刻蚀；S2.2、通入氮气与氢气，进行表面活化；S2.3、向处理腔室内通入惰性气体，进行稳态化处理；S3、向处理腔室内引入硅烷偶联剂蒸气，使芯子端面形成硅烷偶联剂分子层；S4、施加低功率脉冲等离子体，催化硅烷偶联剂分子层发生交联反应，形成分子桥接层；S5、在分子桥接层上进行喷金。本发明提升了电极结合强度、导电稳定性与器件寿命。

天眼查资料显示，四川中星电子有限责任公司，成立于1997年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3244.7916万人民币。通过天眼查大数据分析，四川中星电子有限责任公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息149条，此外企业还拥有行政许可31个。

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作者：情报员