IT之家2月24日消息，据 Trend Force 今天报道，英伟达、苹果等美国科技巨头正在韩国精准挖角三星电子和 SK 海力士的 AI、HBM 人才，试图缩小这两家韩企在内存市场的长期领先优势。

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英伟达苹果赴韩“抢人” 网络图

据报道，英伟达本月初在领英平台招聘 HBM 开发工程师，起步年薪高达258750美元（IT之家注：现汇率约合179万元人民币）；而苹果也在上个月公开招聘了 NAND 闪存产品工程师，年薪更是达到305600美元（现汇率约合211.4万元人民币）。

并且中国台湾地区的联发科也在这场挖角大战中寻找 HBM 工程师，年薪约26万美元（现汇率约合179.8万元人民币）。高通也有在韩国招聘3D DRAM 研发人员。

值得注意的是，埃隆 · 马斯克近期也在 X 平台转发了特斯拉韩国分公司招聘 AI 半导体工程师的告示。

结合韩媒 Newsis 报道，美光也从其年底开始在韩国挖角三星、SK 海力士工程师，有消息称美光为了吸引专家跳槽开出了两倍薪资待遇，并提供3亿韩元（现汇率约合144.4万元人民币）的签约奖金。

而根据《The CHOSUN Daily》报道，三星电子半导体部门员工 A 表示，他最近在美国参加一场活动时收到了三份招聘邀约。A 描述了他在美国时的情况：“展会上，有的人看到了我胸牌的‘三星电子’就来找我搭话，问我对韩国的工作是否满意、年薪多少，最后直截了当地问我是否考虑换个工作”。

面对这种日益严重的人才外流现象，三星电子和 SK 海力士正采取更激进的奖励措施试图留才。

SK 海力士今年初发放了创纪录的绩效奖金，金额相当于每月基本工资的2964%。而三星半导体也在去年发放了最高达年薪47% 的奖金。

不过行业观察人士指出，这些措施可能无法完全遏制人才外流。毕竟在硅谷，资深工程师的基础年薪随便就能超过30万美元，并且很多人还能拿到股份奖金。