2月24日消息，据路透社报道，ASML的研究团队表示，在极紫外（EUV）光刻技术方面取得新进展，通过提升光源功率的方法，在2030年，将先进芯片的产量提高50%。

据披露的信息显示，在光源功率提升后，每台EUV光刻机的晶圆处理能力有望提升至每小时330片，比当前的水平多出约110片。

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图源：ASML

目前每篇晶圆可以根据芯片尺寸的不同容纳数十至数千颗芯片，生产效率一提高，将直接放大终端芯片的产量。

ASML EUV 光源首席技术专家Michael Purvis表示，在满足客户现有工艺标准与稳定性要求的前提下，公司已找到方法将极紫外光源功率从当前约 600W 提升至 1000W。

光源功率的提升意味着单位时间内可完成更多曝光步骤，从而显著提高整机吞吐量，进而降低每个芯片的成本。

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EUV 光刻的原理与传统摄影显影类似：在涂覆光刻胶的硅晶圆上投射极紫外光，通过曝光与显影工艺形成精密电路图案。更强的光源可缩短单次曝光所需时间，使整机生产节拍加快。

在先进制程节点中，曝光步骤往往是产线的瓶颈环节，因此光源功率的提升被视为提高晶圆厂整体产能的核心突破之一。

据相关媒体报道，ASML 已计划向客户提供升级方案，包括在现有晶圆厂内集成改进后的 EUV 光源，并推出“生产力提升包”，使客户在无需更换整机系统的情况下完成部分升级。

不过，老型号 NXE:3400C/D 由于散热能力限制，若要支持 1000W 光源，可能需要额外的硬件改造。

因此，本次升级方案预计将重点应用于现有的 NXE:3800E 系统以及即将推出的高数值孔径（High-NA）平台 EXE:5000 和 EXE:5200。

消息数据来源

：路透社、wccftceh