国家知识产权局信息显示，上海澜矽昌科技有限公司申请一项名为“一种超薄磁性掩模版的制作工艺方法”的专利，公开号CN121555955A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种超薄磁性掩模版的制作工艺方法，属于半导体制造技术领域。该工艺包括在硅基晶圆表面形成氧化层并光刻刻蚀得到硬掩模层，经热氧化及周边氧化层去除后，通过PVD或电镀沉积NiFe磁性薄膜；对NiFe薄膜研磨除杂后形成氧化膜正面保护层；对晶圆背面进行研磨剩余硅层100‑200μm及刻蚀至氧化层停止；最后通过MEMS工艺释放去除硬掩模及保护层，得到超薄磁性掩模版。本发明采用半导体MEMS工艺，相比OLED领域传统冷轧金属板方法，可制作尺寸更小、精度更高的掩模版，产品性能更优，工艺尺寸窗口更小，图形完整无缺陷，适用于高精度OLED器件制造。

天眼查资料显示，上海澜矽昌科技有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50万人民币。通过天眼查大数据分析，上海澜矽昌科技有限公司。

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作者：情报员