国家知识产权局信息显示，山西烁科晶体有限公司取得一项名为“一种减少碳化硅初期晶体缺陷的坩埚结构”的专利，授权公告号CN223936658U，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种减少碳化硅初期晶体缺陷的坩埚结构，涉及碳化硅晶体生长技术领域；包括坩埚本体，坩埚本体上方内壁连接有导流筒，导流筒上放置有籽晶；导流筒为上下均敞口的筒状结构，导流筒的底部和内壁均位于坩埚本体内，导流筒的筒壁内开设有多条漏气通道，漏气通道一端与导流筒的顶部连通，一端与导流筒的底部或内壁连通；通过漏气通道将坩埚本体内部空间与坩埚本体外部空间连通；漏气通道的内径为微米级；本实用新型通过在导流筒内部增加微米级的漏气通道，提高晶体生长初期Si气氛的漏率，改善晶体生长初期气氛中C/Si比，降低晶体生长初期多型的发生概率，进而提高碳化硅单晶的成品率。

天眼查资料显示，山西烁科晶体有限公司，成立于2018年，位于太原市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本47518.848万人民币。通过天眼查大数据分析，山西烁科晶体有限公司参与招投标项目134次，财产线索方面有商标信息35条，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可10个。

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作者：情报员