国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121568387A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供半导体结构，其包括衬底、位线层、第一层间介质层、字线层和第二层间介质层；位线层包括多条位线；字线层包括多条字线；在半导体结构中形成贯穿第二层间介质层、字线和第二层间介质层且露出位线的沟道孔，其深宽比大于等于2；形成覆盖沟道孔侧壁的栅介质层；形成覆盖栅介质层和沟道孔底壁的沟道层；形成覆盖沟道层的第一隔离层；形成第二隔离层，第二隔离层内形成有空隙；去除部分第二隔离层和第一隔离层，在剩余的第一隔离层和剩余的第二隔离层上形成内凹槽，剩余的第一隔离层的顶面低于剩余的第二隔离层的顶面最高点处且未暴露出空隙，内凹槽暴露出沟道层的上部；填充内凹槽形成漏极层。

天眼查资料显示，深圳市昇维旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市昇维旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息142条，此外企业还拥有行政许可16个。

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作者：情报员