国家知识产权局信息显示，深圳市重投天科半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司申请一项名为“一种晶体生长装置”的专利，公开号CN121556129A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请公开一种晶体生长装置，包括反应室、坩埚、激光加热系统和冷却基架。坩埚设置于反应室内，用于容纳晶体原料，坩埚承受从激光加热系统传递来的热量，使晶体原料升华为气相。坩埚的顶部设置有籽晶，籽晶用于供气相的所述晶体原料凝结。激光加热系统包括多个激光器，激光器用于输出激光束以加热坩埚；激光加热系统设置于冷却基架上，冷却基架用于对激光加热系统进行冷却。相较于相关技术，本申请公开的晶体生长装置利用激光进行加热，激光能量被坩埚材料高效吸收，加热效率高，热惯性小，可实现每分钟数百摄氏度的快速升温。并且，无需配合石墨毡等保温结构，避免了保温结构可能引入的污染，确保了晶体的纯度。

天眼查资料显示，深圳市重投天科半导体有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本220000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市重投天科半导体有限公司参与招投标项目60次，专利信息50条，此外企业还拥有行政许可119个。

北京天科合达半导体股份有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50600万人民币。通过天眼查大数据分析，北京天科合达半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目313次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息245条，此外企业还拥有行政许可149个。

江苏天科合达半导体有限公司，成立于2018年，位于徐州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本35000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏天科合达半导体有限公司参与招投标项目93次，专利信息141条，此外企业还拥有行政许可27个。

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作者：情报员