国家知识产权局信息显示，索泰克公司申请一项名为“全环绕栅极半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121569601A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构（SC），该SC包括支撑体（1a）以及直接设置在支撑体（1a）上的介电层（1b）。至少一个pFET结构直接位于介电层（1b）上，每个pFET结构包括由压缩应变硅锗制成的沟道纳米片的第一堆叠体以及对第一堆叠体的每个沟道纳米片进行封装的pFET栅极结构。至少一个nFET结构直接位于介电层上，每个nFET结构包括由硅制成的沟道纳米片的第二堆叠体以及对第二堆叠体的每个沟道纳米片进行封装的nFET栅极结构。

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作者：情报员