前沿导读
国际半导体技术机构Techinsights副主席哈奇森，在接受美国《EE Times》采访时表示：
我在1978年进入半导体行业时，中国的平板印刷工具（光刻机）仅落后西方国家一代。这一代的技术差距不算大，但当时西方国家的光刻机已经进入商业化阶段，中国的光刻机还只是一个科研项目。随后中国企业急于引进国外的成熟设备制造产品，逐步放松了对自主光刻机的研发。马上50年过去了，中国光刻机已经从当初落后一代，变成现在落后好几代。被美国卡脖子之后，中国企业想要追赶设备差距，这需要付出极大代价。
参考资料： https://www.eetimes.com/how-china-struggles-to-reach-wfe-self-sufficiency/技术代差
ASML在2010年制造出了可以用于28nm芯片制造的NXT:1950i光刻机，2018年又制造出了可以应用于7nm节点的NXT:2000i光刻机。这两种设备的更新，也同时需要自对准多重图案化技术、复杂的光学邻近效应校正、新型光掩模以及新型光刻胶等辅助产业的技术升级。
哈奇森分析指出，中国半导体产业想要完全实现独立自主，可能还需要几十年的发展来带动整个产业链完成技术替换。在沉积、刻蚀、清洗、退火等芯片设备当中，中国企业已经拥有自主设备并且极具竞争力，但是在光刻机领域，中国的自主设备与ASML存在非常明显的代差。
此前有国际报道指出，中国企业正在测试28nm节点的国产浸润式光刻机，但是并没有任何证据来证明这个消息的真实性。
28nm节点的浸润式光刻机与ASML推出NXT:1950i配置类似，但1950i是ASML在2008年完成测试的产品，2010年进行的量产交付。中国的DUV光刻机距离国际水平还有10年以上的差距，这个技术差距是制约中国芯片发展的核心因素。
现阶段的中国芯片产业依赖于多年前从ASML手中采购的先进DUV光刻机，为延长设备的使用寿命，中国企业正在通过现有的方法来升级设备，其中就包括了采购二级市场上面流通的二手设备。
据ASML官方资料显示，光刻机的许多零件是通用的，可以实现回收再利用。其底部框架采用模块化设计，一旦零部件或者是组件出现问题，可以进行相应子系统的整体更换。这个框架同时支持DUV光刻机和EUV光刻机，最大限度确保整个设备的通用性。
强大的通用性和模块化设计，让中国企业可以通过采购拆解二手市场的制造设备，然后构建自己的备件库存，这是目前延长现有光刻机持续运行的唯一途径。
哈奇森对此表示，鉴于中国企业在机械加工领域的专业技能，克隆光刻机的某些子系统零部件当做备用件是很容易的，但是中国企业所要掌握的技能不能只是简单的复制零件，而是应该掌握涂层、材料体系以及软件技术，这才是保证光刻机运行的核心指标。
局限性
现阶段的中国芯片产业，还是以使用曾经采购的ASML光刻机为主。国产光刻机一直在持续推进，但是其在产能、技术水平、可持续性上还无法与海外设备相比，这是国产光刻机迟迟无法进入商业化层面的主要瓶颈。
中国的国产光刻机已经在部分环节有了显著的技术突破，但是距离替代掉生产线上的进口设备还为时尚早。而更加先进的EUV光刻机，想要实现国产替代也是具有很大的局限性。
目前全球拥有量产EUV光刻机制造能力的企业就是荷兰的ASML，就连日本都没有实现EUV光刻机的量产。日本手握尼康、佳能这两个光学工业巨头，并且这两个企业是ASML崛起之前的光刻机霸主。上一代的市场霸主都失败了，中国企业是否能在EUV领域迎头赶上？
针对这个问题，哈奇森指出，迫于美国的出口管制，中国企业现在需要发展自己的芯片设备垂直产业体系，但是中国发展制造设备不会以牺牲芯片产业的经济性为代价来实现目标。在制造设备上进行国产化替代，这是中国芯片产业现在以及未来的目标，这个目标从没有动摇过。但是现在的问题并不在大方向上，而是在于时机。
这个时机并不是说中国完成了国产先进光刻机的制造，而是在于中国光刻机是否能投入到生产线上持续运行创造经济效益。只有先运行起来制造芯片，才能在未来的发展中逐步向国产替代靠拢。
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