《科创板日报》27日讯,三星电子正集中精力提高1c DRAM的良率,同时抢占HBM4市场份额。具体而言,三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸,从而同时提升DRAM和HBM4的稳定性。 (ZDNet)