国家知识产权局信息显示，深圳市广能达半导体科技有限公司取得一项名为“一种射频电源散热风道结构”的专利，授权公告号CN223957829U，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种射频电源散热风道结构，包括电源壳体，所述电源壳体内部设置有上层水冷散热器和下层水冷散热器，所述上层水冷散热器的顶底两面均设置有功放电路模块，所述下层水冷散热器的顶面设置有直流电源和射频电路模块，所述电源壳体的相对的两侧分别设置有进风口和出风口，所述进风口的内侧设置有散热风扇，所述上层水冷散热器与所述下层水冷散热器之间靠近所述出风口的一侧设置有风挡板，所述风挡板与所述上层水冷散热器之间形成横截面积逐渐缩小的送风通道。本实用新型有效降低射频电源中元件及内部环境的温度，达到延长产品使用寿命的作用，使得设备更高具稳定性和可靠性。

天眼查资料显示，深圳市广能达半导体科技有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市广能达半导体科技有限公司参与招投标项目8次，专利信息37条，此外企业还拥有行政许可4个。

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作者：情报员