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（来源：半导体前线）

据韩媒报道，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存。

该产线每月产能为8万至10万片12英寸晶圆，消息人士称，三星已于去年通知客户将终止2D NAND生产，这也意味着该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。

三星于2002年率先在全球量产1Gb NAND闪存，此举推动三星成为全球最大的闪存制造商。三星也在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。

在上季度的财报会议上，三星表示计划将legacy工艺转换为先进工艺，其中包括停止平面NAND（planar NAND）的生产。

平面NAND（即2D NAND）主要应用于U盘等低成本存储设备，但随着3D NAND的普及，市场需求已大幅萎缩，主要NAND厂商均已基本完成向3D闪存的过渡。

三星在韩国减少的NAND产能预计将通过其中国西安工厂的增产来弥补。三星目前正在升级西安的3D NAND产线，以生产下一代NAND产品。

韩国华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺。 12号线转型后有望提升华城工厂整体DRAM生产效率。该工厂的其他产线已在生产DRAM。

NAND闪存市场正处于从消费电子驱动向AI与企业级存储驱动的历史性转型拐点，市场呈现高度集中的寡头格局，三星、铠侠、SK海力士三大巨头合计占据约80%份额。

其中SK海力士（含Solidigm）在QLC eSSD领先，三星和铠侠主导TLC eSSD市场；美光以高堆叠层数产品竞争密度优势。在人工智能时代，服务器赛道是关键，如今各厂商正全力提升服务器业务占比。

在技术上，3D堆叠与架构创新持续突破物理极限；在供需上，严格的资本纪律与爆发的AI需求形成共振，驱动价格与盈利能力的长期修复；在竞争上，拥有技术、产能与客户卡位优势的头部厂商将最大程度分享行业红利。

在盈利上，NAND行业正在经历显著的盈利能力修复。据高盛数据，三星NAND业务营业利润率预计将从2025年第四季度的25%大幅提升至2026年第一季度的37%，SK海力士将从30%跃升至42%，而铠侠的营业利润率指引区间为47%至63%。