国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“硅通孔及其制造方法”的专利,公开号CN121586464A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本发明公开了一种硅通孔,包括:贯穿硅衬底的硅通孔沟槽。在硅通孔沟槽的侧面形成有渐变热膨胀系数匹配绝缘层。在硅通孔沟槽内填充有第一金属层并形成硅通孔。渐变热膨胀系数匹配绝缘层具有渐变热膨胀系数结构并利用渐变热膨胀系数结构来降低热过程中在硅通孔沟槽的侧面处的硅到第一金属层之间的热应力并从而提升硅通孔的电学可靠性。本发明还公开了一种硅通孔的制造方法。本发明能消除硅通孔沟槽侧面的绝缘层和硅之间较大的热膨胀系数差异所带来的在高温工艺中易产生硅衬底片翘曲和硅通孔断裂的问题。
天眼查资料显示,上海华力集成电路制造有限公司,成立于2016年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2095次,专利信息2738条,此外企业还拥有行政许可397个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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