国家知识产权局信息显示，上海映矽传感技术有限公司申请一项名为“基于绝缘体上硅与重掺杂工艺的高温压阻芯片制造方法”的专利，公开号CN121586398A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种基于绝缘体上硅与重掺杂工艺的高温压阻芯片制造方法，包括：提供绝缘体上硅晶圆，对顶层硅执行分步离子注入，利用低能浅层投射在顶层硅中上部建立压阻敏感区；执行梯度锁定退火，限制杂质纵向扩散并维持纵向浓度梯度；图形化顶层硅并制作电极，本发明通过在顶层硅内部构建纵向逆行掺杂势垒，利用底部简并层原位屏蔽氧化埋层界面的电荷干扰并切断背沟道漏电，同时保留上层敏感区的压阻特性，解决高温下灵敏度与漏电抑制之间的矛盾，提升芯片在高温环境下的测量精度与零点稳定性。

天眼查资料显示，上海映矽传感技术有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2222.2222万人民币。通过天眼查大数据分析，上海映矽传感技术有限公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息53条，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可2个。

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本文源自：市场资讯

作者：情报员