国家知识产权局信息显示，河北同光半导体股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅衬底研磨方法、装置、终端及存储介质”的专利，公开号CN121572170A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请提供一种碳化硅衬底研磨方法、装置、终端及存储介质，涉及半导体材料制备技术领域。该方法包括：在目标碳化硅衬底的研磨过程中，获取第一研磨阶段中研磨设备的工艺参数和第一研磨阶段结束后目标碳化硅衬底的衬底数据，第一研磨阶段为目标碳化硅衬底的研磨过程中任一阶段；将工艺参数和衬底数据输入到研磨路径预测模型中，输出研磨设备的运行数据；运行数据包括研磨设备在第二研磨阶段的研磨路径、研磨压力、研磨转速、研磨时间和研磨速率，第二研磨阶段为第一研磨阶段的下一阶段；控制研磨设备按照运行数据对第一研磨阶段结束后的目标碳化硅衬底进行第二研磨阶段的研磨。本申请能够显著提高碳化硅衬底的表面平整度，以及提高研磨效率。

天眼查资料显示，河北同光半导体股份有限公司，成立于2012年，位于保定市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本40814.5232万人民币。通过天眼查大数据分析，河北同光半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目48次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可26个。

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作者：情报员