国家知识产权局信息显示，成都鸿辰光子半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法”的专利，公开号CN121575359A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法，适用于半导体激光器技术领域。利用该用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法得到的膜系结构，其得到的SiN膜层压应力仅为100Mpa,比现有的SiN膜层应力降低了14倍，耐氢氟酸溶液腐蚀速率比PECVD所生长的SiN慢12倍，应力缺陷得到释放的同时，致密性在原来基础上得到了进一步的增强，在近红外波段材料折射率为2.0左右，满足激光器光学薄膜设计理论参数要求，是一种非常适合应对非气密环境的与激光器接触的隔离层，SiN膜层致密，与bar条晶格匹配较好，缺陷密度低，应力小，与bar条解理面结合牢固，可以有效阻止外界水氧渗透接触解理面，保证激光器在高温高湿环境下的稳定性。

天眼查资料显示，成都鸿辰光子半导体科技有限公司，成立于2021年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都鸿辰光子半导体科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息7条，此外企业还拥有行政许可11个。

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作者：情报员