国家知识产权局信息显示，北京智创芯源科技有限公司申请一项名为“一种碲镉汞芯片及其增透膜的制作方法、探测器”的专利，公开号CN121586316A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请涉及芯片制备领域，公开了一种碲镉汞芯片及其增透膜的制作方法、探测器，方法包括：准备待加工碲镉汞芯片；在所述待加工碲镉汞芯片的一侧表面制作多孔材料层；所述多孔材料层背离所述待加工碲镉汞芯片的表面分布有孔隙，所述多孔材料层作为第一增透膜；采用热蒸发工艺在所述多孔材料层背离所述待加工碲镉汞芯片的表面生长第二增透膜。多孔材料层具有较高的孔隙率，不仅有效降低界面反射，提升光吸收效率和器件量子效率，而且还作为第二增透膜的基底，提升采用热蒸发工艺制作的第二增透膜的附着力，解决热蒸发工艺制备的薄膜因附着力较差容易脱落的问题。

天眼查资料显示，北京智创芯源科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10945.6522万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智创芯源科技有限公司参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息129条，此外企业还拥有行政许可3个。

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作者：情报员