国家知识产权局信息显示，嘉兴鬃晶科技有限公司申请一项名为“一种可持续生长超大厚度碳化硅晶体的方法”的专利，公开号CN121575478A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体材料的技术领域，具体为一种可持续生长超大厚度碳化硅晶体的方法，包括如下步骤，a.生长装置准备；采用带有分区加热模块的PVT电阻法生长炉制备碳化硅单晶；b.原料与籽晶预处理；将碳化硅粉末填充至坩埚内，并将籽晶固定在坩埚内的石墨托上；c.温场与氛围调控；关闭生长炉并抽真空；随后通入惰性气体至炉内，并对炉体内部加热到合适温度；d.晶体生长；在生长过程中，控制晶体的生长面与填料仓内粉料的料面之间的间距保持恒定，同时维持填料仓内粉料的料面高度不变；e.降温与取晶；将炉内降至室温，打开生长炉并取出碳化硅晶体。本发明可以稳定碳化硅生长过程中的温场，避免晶体出现位错、堆垛层错甚至裂纹缺陷，提升结晶质量。

天眼查资料显示，嘉兴鬃晶科技有限公司，成立于2025年，位于嘉兴市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本558.3334万人民币。通过天眼查大数据分析，嘉兴鬃晶科技有限公司共对外投资了1家企业，专利信息5条。

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作者：情报员