英伟达Vera Rubin出货节点渐行渐近，全球三大存储巨头围绕HBM4的角力已进入白热化阶段。三星电子率先打出技术牌——据ZDNet Korea近日报道，三星决定增大其第六代10nm级（1c）DRAM芯片的尺寸，以同步提升DRAM和HBM4的性能与稳定性。

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这一技术调整背后有着明确的工艺逻辑。HBM4因I/O数量增加，需要在DRAM芯片中设置更多的TSV（硅通孔），而更大的芯片面积能为TSV布局提供更充裕的空间，降低TSV密度，有利于散热和可靠性保障。不过，芯片尺寸增大也意味着每片晶圆可切割的芯片数量减少，或将压缩单位利润空间。

在工艺选择上，三星采用了领先竞争对手一代的1c DRAM技术用于HBM4核心芯片，而SK海力士和美光仍使用与HBM3E相同的1b DRAM。据2月25日披露的信息，三星1c DRAM在高温测试环境下的良率已突破80%，较2025年第四季度的60%至70%显著提升，预计5月前后可达90%。华泰证券2月26日研报指出："三星加速HBM4布局，导入1γnm制程、优化前端TSV结构，并采用4nm逻辑base die，力图重回技术领先梯队。"

三星在日前举行的HBM4量产启动仪式上表示："从HBM4开发之初，我们就设定了超越JEDEC标准的性能目标"，并强调"从量产之初，我们就确保了稳定的良率和行业领先的性能，而无需重新设计。"据悉，JEDEC最初将HBM4性能标准设定为8 Gbps，而内存供应商最近已将其提高至11.7 Gbps，并与英伟达完成了联合测试。

在基础芯片制造工艺上，三星采用自家晶圆代工厂的4nm工艺，相比SK海力士采用台积电12nm工艺有了代际跃升。市场调查机构Omdia数据显示，三星电子2025年第四季度DRAM市占率达36.6%，重回全球首位，SK海力士以32.9%居第二，三星的回升主要得益于HBM4的销售增长。

竞争对手同样在加速追赶。SK海力士已将位于清州的M15X工厂量产计划提前四个月，于3月开始量产用于HBM4的1b DRAM晶圆，初期规划月产约1万片，年底目标提升至数万片。

据TrendForce集邦咨询最新研究，三大存储原厂的HBM4验证程序已进展至尾声，预计2026年第二季度陆续完成。其中三星凭借产品稳定性优势，有望率先通过验证，SK海力士和美光随后跟上，最终形成三家共同供应英伟达HBM4的格局。

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：观察君