国家知识产权局信息显示，恩特格里斯公司申请一项名为“离子植入方法及相关系统”的专利，公开号CN121586940A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本文中提供一种离子植入方法及相关系统。所述离子植入方法包括汽化包括金属硼氢化物化合物的前体以获得经汽化前体，及使所述经汽化前体与衬底在气相沉积条件下接触以在所述衬底上形成膜。所述金属硼氢化物化合物同位素富集至少一种硼同位素。

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作者：情报员