国家知识产权局信息显示，东莞新科技术研究开发有限公司申请一项名为“一种半导体表面的氧化膜的制备方法”的专利，公开号CN121604736A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体表面的氧化膜的制备方法，包括：对半导体基片进行清洗处理；在清洗后的半导体基片的表面上沉积氧化硅层；在所述氧化硅层的表面上形成预备层；在所述预备层的表面上沉积硅基层；采用光刻和蚀刻技术，在所述硅基层的表面上形成氧化膜。采用本发明的技术方案能够解决氧化膜的制备工艺复杂、效率低的问题，实现简单、高效的制备氧化膜。

天眼查资料显示，东莞新科技术研究开发有限公司，成立于2004年，位于东莞市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1050万美元。通过天眼查大数据分析，东莞新科技术研究开发有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息632条，此外企业还拥有行政许可43个。

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作者：情报员