国家知识产权局信息显示，苏州立琻半导体有限公司取得一项名为“一种AlN外延结构及半导体器件”的专利，授权公告号CN223963602U，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种AlN外延结构及半导体器件。所述外延结构包括：AlN基础层、形成层和合并层；基础层为密实层，具有600‑750nm的厚度；形成层和合并层中内嵌有多个孔洞结构，开口于形成层中，闭合于合并层中；并且具有选定截面形状的孔洞的占比在50%以上。本实用新型所提供的技术方案通过适当的AlN基础层厚度控制减少不规则孔洞形成的机会，并调整孔洞结构的生成密度，以及通过AlN形成层生长条件的控制引导孔洞结构趋向于统一的截面形状，从而阻止孔洞结构形成不规则不统一的截面形状，避免孔洞结构合并时对准困难，减少新增位错的产生，显著提升了AlN外延层的品质。

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作者：情报员